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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Compara
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En 21% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
17.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
3963
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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