Comparación de la memoria RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Puntuación global

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

22 60

En 63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.7 17.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.8 12.7

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 21300

En 1.2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3075 2687

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns