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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
76
77
En -1% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
76
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
1587
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
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