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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
3356
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
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