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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
3413
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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