RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
77
En -208% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
25
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
3187
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link