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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
77
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.8
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
41
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
1512
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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