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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Inmos + 256MB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16800
6400
En 2.63 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
16800
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
2318
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Inmos + 256MB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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