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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
77
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.7
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.2
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
39
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
8.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
1842
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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