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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Compara
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Puntuación global
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Puntuación global
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En -196% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,884.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
26
Velocidad de lectura, GB/s
2,936.9
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,884.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
564
2783
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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