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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Puntuación global
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Puntuación global
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 15.9
    Valor medio en las pruebas
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    62 left arrow 77
    En -24% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.4 left arrow 1,884.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    77 left arrow 62
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,936.9 left arrow 15.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,884.0 left arrow 7.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    564 left arrow 1891

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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