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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
45
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
2190
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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