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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
79
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
79
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
1651
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
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