RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
10.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
3774
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link