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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
75
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
75
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
1735
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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