RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
74
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
74
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
1779
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link