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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
3116
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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