RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
65
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
65
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
1981
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link