RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
65
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
65
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
1981
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link