RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Compara
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
86
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
86
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2438
1469
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link