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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Compara
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB vs Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Puntuación global
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
12.9
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.2
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.9
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3100
3391
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
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