RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
72
En 50% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
72
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
1728
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link