RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En -6% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
2319
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link