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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
51
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
51
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
2720
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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