RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
39
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
7.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
1768
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link