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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,042.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
61
En -56% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,448.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,042.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
860
2782
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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