RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,042.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
61
En -56% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,448.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,042.4
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
860
2782
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link