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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
48
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
2863
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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