RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
49
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
49
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
10.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
2504
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link