RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
48
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
39
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
2782
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link