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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
48
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
38
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
2908
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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