RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
76
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
76
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
1260
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link