RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Compara
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
83
En 42% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
83
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1955
1774
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link