RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
51
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.1
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
26
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
23.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
19.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
4276
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link