RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
51
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
24
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
2256
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link