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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
51
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
42
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
2427
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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