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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
2812
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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