RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
51
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2182
3343
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link