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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
3297
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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