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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2795
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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