RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
1617
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link