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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
INTENSO M418039 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
INTENSO M418039 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
41
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2414
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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INTENSO M418039 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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