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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2833
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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