RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2767
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link