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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
64
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
64
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2205
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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