RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
81
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
81
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
1651
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link