RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
47
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.6
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
47
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2308
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link