RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2321
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link