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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
63
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
63
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2061
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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