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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2190
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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