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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
43
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
3238
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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