RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Compara
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
49
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
49
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1314
2801
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link